金年金字招牌(jinnian)今年会-铠侠闪迪实现技术突破，千层 3D NAND 研发迈出关键一步

全世界 3D NAND 正加快向 300 层和更高规格迭代，铠侠结合闪迪率先于超高密度重叠技能上取患上要害进展。据业内媒体披露，两边依托晶圆间铜直接键合工艺，采用 MSA-CBA 多层重叠单位阵列架构，全世界初次完成 QLC 四级单位技能演示，为将来冲破千层级超高密度 3D NAND 奠基技能基础。

该项冲破性结果将在 6 月于 2026 年夏威夷 VLSI 超年夜范围集成电路钻研会正式发布。铠侠与闪迪暗示，新架构有用破解持久制约 3D NAND 扩容的三年夜痛点：存储单位电流衰减、制造历程晶圆翘曲、区块尺寸设计受限，为层数连续爬升扫清技能障碍。

从技能细节来看，两家企业已经公然 MSA-CBA 重叠键合布局道理图，并放出双片 218 字线阵列晶圆重叠成型的显微实测影像，技能落地路径清楚可落地。

于线路计划上，铠侠早已经锚定千层级方针。根据其技能计划，到 2027 年千字线 3D NAND 有望量产，裸片密度将到达 100Gbit/妹妹²。回首行业成长，3D NAND 层数从 2014 年 24 层升至 2022 年 238 层，八年扩容近十倍；按年均 1.33 倍迭代速率测算，2027 年落地千层产物具有充实技能可行性。

与此同时，三星也稳步加码千层 3D NAND 结构，推出多 BV NAND 架构，采用双单位晶圆叠加双周边晶圆的重叠方式，技能逻辑与铠侠方案高度趋同。行业遍及认为，单片晶圆物理极限约 500 层，多晶圆异构重叠已经成打击千层门坎的必由之路，三星计划 2030 年实现千层 NAND 商用。

除了传统重叠线路外，三星同步结构下一代铁电 NAND 技能，并结合英伟达、高校研发 PINO AI 仿真模子，把机能模仿效率晋升万倍级别。铁电 NAND 不仅可支撑千层重叠，还有能最高降低 96% 功耗，有望统筹产能扩容与绿色节能两重需求，成为后千层时代主要技能备选标的目的。

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