据外媒The Elec报导,SK海力士混淆键合工艺HBM产物良率实现改善,不外公司并未披露详细良率数值。SK海力士技能卖力人金钟勋暗示,采用混淆键合技能的12层重叠HBM产物已经完成验证,今朝公司正全力晋升工艺良率,为后续量产做预备。其同时坦言,相较在两年前,企业当前于技能贮备与量产预备层面已经有年夜幅晋升。
行业遍及预期,混淆键合技能将率先运用在HBM4产物,跟着16层重叠HBM慢慢贸易化落地,该项工艺有望从2026年下半年至2027年迎来范围化导入。
报导同时指出,于现有技能前提下,混淆键合仍面对成本效益层面的实际挑战。为此,SK海力士规划连续精进回流成型底部填充(MR-MUF)技能,于周全普和混淆键合工艺前,先依托成熟技能满意客户定单需求。今朝企业已经具有基在HBM3E架构、最高适配16层重叠高度尺度的工艺能力。
跟着HBM技能迭代进级,重叠层数连续增长,制造工艺繁杂度同步爬升。封装技能也随之迭代演进,从热压非导电膜(TC-NCF),到MR-MUF,再到如今的混淆键合工艺,每一一代技能进级均有用改善芯片翘曲问题,同步晋升出产效率。
据悉,TC-NCF与MR-MUF工艺均经由过程于DRAM裸片间设置微型金属凸点,借助热压方式完成互连封装;而MR-MUF工艺借助助焊剂等防护质料,有用解决了传统TC-NCF工艺存于的翘曲和芯片毁伤痛点。
装备采购动向也印证了SK海力士混淆键合技能的推进节拍。本年4月初The Elec援引业内动静称,SK海力士上月采购了由运用质料与Besi结合研发的混淆键合量产成套装备,整套装备造价约200亿韩元,折合1500万美元,整合了运用质料CMP化学机械抛光、等离子处置惩罚装备与Besi混淆键合机,也是SK海力士首套面向量产的混淆键合装备。
除了此以外,SK海力士还有规划尽快引入韩华Semitech研发的混淆键合装备,用在产物品质测试。
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